| 摘要 |
【課題】縦型トランジスタの耐圧とオン抵抗のトレート゛オフの改善を可能とする半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第１の面と第２の面とを有する半導体層と、半導体層内の第１導電型のドリフト領域と、ドリフト領域と第１の面との間の第２導電型のボディ領域と、第１導電型のソース領域と、第１のゲート電極と、第１のゲート電極との間にボディ領域を挟んで設けられた第２のゲート電極と、第１及び第２のゲート絶縁膜と、第２の面と第１のゲート電極との間の第１のフィールドプレート電極と、第２の面と第２のゲート電極との間の第２のフィールドプレート電極と、ドリフト領域内の第１導電型の第１の領域と、第１の領域とボディ領域との間の第１の領域よりも第１導電型不純物の濃度の高い第２の領域と、第２の領域とボディ領域との間に設けられ、第２の領域よりも第１導電型不純物の濃度の低い第３の領域と、を備える。【選択図】図１ |
