| 摘要 |
【課題】支持基板へ貼り合わされたウェハを裏面側から研削して製造される半導体装置の歩留りを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。実施形態に係る半導体装置の製造方法は、形成工程と、貼合工程と、薄化工程との３つの工程を含む。形成工程は、表面に半導体素子が設けられたウェハの周縁部を、ウェハの表面側から少なくとも２００μｍ以上の深さまで除去して、ウェハの表面側周縁に切欠部を形成する。貼合工程は、ウェハの表面を支持基板に貼り合わせる。薄化工程は、ウェハを裏面側から研削してウェハを２００μｍ未満の厚さまで薄化する。【選択図】図２ |
