半導体装置の製造方法、および、半導体装置

摘要

本発明は、オン抵抗の低減を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。本発明は、基板（１１）上にドリフト層（１２）を形成する。また、ドリフト層表面にイオン注入層１３を形成する。また、ドリフト層内に余剰炭素領域３１を形成する。また、ドリフト層を加熱する。余剰炭素領域を形成する場合、イオン注入層とドリフト層との界面よりも深い領域に余剰炭素領域を形成する。ドリフト層を加熱する場合、イオン注入層の不純物イオンを活性化させて活性化層１１３を形成し、格子間炭素原子を活性化層側に拡散させる。