| 摘要 |
ＳｉＣエピタキシャル層２８と、ＳｉＣエピタキシャル層２８に形成され、所定の制御電圧によってオン／オフ制御される複数のトランジスタセル１８と、オン時にチャネルが形成されるトランジスタセル１８のチャネル領域３２に対向するゲート電極１９と、外部との電気接続のために最表面に露出しており、ゲート電極１９と物理的に分離されているがゲート電極１９に電気的に接続されたゲートメタル４４と、ゲートメタル４４よりも下方に配置され、ゲートメタル４４とゲート電極１９とを電気的に接続するポリシリコンからなる内蔵抵抗２１とを含む、半導体装置１を形成する。 |
