薄膜形成方法、薄膜および薄膜付きガラス板

摘要

本発明は、常圧ＣＶＤ法を用いて、基板上にＴｉＯ２薄膜を形成する方法であって、原料ガスが、チタンテトライソプロピオキシド（ＴＴＩＰ）および１００〜４００℃の温度域で気化可能な金属Ｍの塩化物を含み、前記金属Ｍの塩化物の量が、チタンテトライソプロピオキシド（ＴＴＩＰ）に対する濃度比（金属Ｍの塩化物（ｍｏｌ％）／ＴＴＩＰ（ｍｏｌ％））で０．０１〜０．１８である、ＴｉＯ２薄膜の形成方法に関する。