发明名称 半導体発光素子及びその製造方法
摘要 【課題】発光効率を向上できる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光素子は、第1電極と、第1半導体層と、第2半導体層と、第3半導体層と、を含む。前記第1電極は、第1方向に延びる第1部分を含み、金属である。前記第1半導体層は、前記第1部分の周りに設けられ、前記第1方向に対して垂直な第2方向において前記第1部分と重なり、第1導電形である。前記第2半導体層は、前記第1部分と前記第1半導体層との間に設けられ、第2導電形である。前記第3半導体層は、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられる。【選択図】図1
申请公布号 JP2017055048(A) 申请公布日期 2017.03.16
申请号 JP20150179538 申请日期 2015.09.11
申请人 株式会社東芝 发明人 朝羽 俊介;木村 重哉;伊藤 俊秀;大野 浩志;田島 純平;上杉 謙次郎;布上 真也
分类号 H01L33/38;H01L33/08;H01L33/24 主分类号 H01L33/38
代理机构 代理人
主权项
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