| 摘要 |
【課題】 スイッチング損失を低減させつつノイズの影響も低減することにある。【解決手段】第１のソース、第１のドレイン、及び第１のゲートを有する第１導電型の第１のＭＯＳＦＥＴと、第２のドレイン、前記第１のソースに電気的に接続された第２のソース、及び前記第１のゲートに電気的に接続された第２のゲートを有する第１導電型の第２のＭＯＳＦＥＴと、前記第１及び前記第２のドレインの間に接続されたダイオードとを備え、前記第１のＭＯＳＦＥＴは、前記第２のＭＯＳＦＥＴよりも耐圧が高いことを特徴とするパワー半導体装置を提供する。【選択図】 図１ |
