| 摘要 |
【課題】III族窒化物系の半導体装置において、ｎ型半導体層の溝部に対して選択的にｐ型半導体を充填する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、III族窒化物から主に成るとともに結晶面のｃ面が表面に現れるｎ型半導体層を、エピタキシャル成長によって形成する工程と；ｎ型半導体層を表面からエッチングすることによって、結晶面のａ面またはｍ面が側面に現れる溝部を、形成する工程と；２０００以上３０００以下のＶ／III比でIII族原料とＶ族原料とを含有する原料ガスを用いたエピタキシャル成長によって、III族窒化物から主に成るｐ型半導体を前記溝部に充填する工程とを備える。【選択図】図２ |
