| 摘要 |
【課題】素子のさらなる微細化あるいは高品質化を実現することができる絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態は、ＭＣＺ法で作製された第１導電型の半導体基板を準備することを含む。上記半導体基板の第１の表面に第２導電型のベース層１２と、第１導電型のエミッタ領域１３と、ゲート電極１４が形成される。上記半導体基板の第２の表面を加工することで上記半導体基板が薄化され、薄化された上記第２の表面にホウ素を注入することで、第２導電型のコレクタ層１５が形成される。上記半導体基板の内部であってコレクタ層１５との隣接領域に水素を注入することで、上記半導体基板よりも不純物濃度が高い第１導電型のバッファ層１６が形成される。【選択図】図１ |
