| 摘要 |
【課題】ハーフメタル材料の磁気特性を外部から動的に制御するための構造、及びこれを利用したトンネル磁気抵抗デバイスを提供する。【解決手段】ハーフメタル強磁性体に電子を注入すると、この材料中の総スピン数が変化して磁気特性の変化が起こる。具体的にはハーフメタル強磁性体層とイオン（例えばＬｉ＋）伝導媒体層とイオン供給源となる電極をこの順で積層し、電極側に正電圧を印加すると、イオン（ここでは正イオン）が強磁性層に注入され、これと同時に電子の注入も起こる。この電子注入によってハーフメタル磁性体層に上述の磁気特性の変化が引き起こされる。また、絶縁体層を挟んだ２枚のハーフメタル強磁性体層の間のトンネル磁気抵抗を制御することで、トンネル磁気抵抗素子を構成できる。【選択図】図３ |
