| 摘要 |
【課題】半導体基板の表面に露出するｎ型領域とｐ型領域を容易に形成することが可能な技術を提供する。【解決手段】不純物注入工程とレーザ照射工程を有する。不純物注入工程では、半導体基板の表面のＩＧＢＴ領域２０とダイオード領域４０を含む処理エリアに不純物を注入することによって、第１深さ範囲において第１不純物の総量が第２不純物の総量よりも多く、より深い第２深さ範囲において第２不純物の総量が第１不純物の総量よりも多いという関係を得る。レーザ照射工程では、ダイオード領域４０ではＩＢＧＴ領域２０よりもレーザのエネルギー密度が高くなるようにレーザを照射する。ＩＢＧＴ領域２０では第１深さ範囲にコレクタ領域３０を形成し、ダイオード領域４０では第２深さ範囲にカソード領域４８を形成する。【選択図】図１ |
