| 摘要 |
【課題】アバランシェ耐量の向上を可能とする半導体装置を提供する。【解決手段】第１の面と第２の面とを有するＳｉＣ層１０と、第１の面に接する第１の電極１２と、ＳｉＣ層１０内に設けられた第１導電型の第１のＳｉＣ領域２０と、少なくとも一部が第１の電極１２と第１の面とが接する領域を囲んでｉＣ層１０内に設けられ、第１のＳｉＣ領域２０と第１の面との間に設けられた第２導電型の第２のＳｉＣ領域２２と、第２のＳｉＣ領域２２を囲んでＳｉＣ層１０内に設けられ、第１のＳｉＣ領域２０と第１の面との間に設けられ、第２のＳｉＣ領域よりも第２導電型の不純物濃度の低い第２導電型の第３のＳｉＣ領域２４と、第２のＳｉＣ領域２２と第３のＳｉＣ領域２４との間のＳｉＣ層１０内に設けられ、第２のＳｉＣ領域２２よりも第２導電型の不純物濃度の高い第２導電型の第４のＳｉＣ領域３０と、を備える。【選択図】図１ |
