| 发明名称 | 硅通孔的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硅通孔的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成通孔；在所述通孔中填充金属层；进行第一平坦化处理，去除衬底上方的金属层，保留通孔中的金属层；在所述衬底和金属层上覆盖应力层，所述应力层用于提供压应力；对所述金属层进行再结晶处理；进行第二平坦化处理，去除衬底上方的应力层。其中，在第一平坦化处理之后，对所述金属层进行再结晶处理之前，在所述衬底和金属层上覆盖应力层，所述应力层能够提供压应力，提高金属原子向金属层表面扩散所需要的能量，从而降低金属原子向金属层表面扩散的扩散率，进而降低金属层内的空洞率。 | ||
| 申请公布号 | CN106505036A | 申请公布日期 | 2017.03.15 |
| 申请号 | CN201510560915.2 | 申请日期 | 2015.09.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 何作鹏 |
| 分类号 | H01L21/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;吴敏 |
| 主权项 | 一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成通孔；在所述通孔中填充金属层；进行第一平坦化处理，去除衬底上方的金属层保留通孔中的金属层；在所述衬底和金属层上覆盖应力层，所述应力层用于提供压应力；对所述金属层进行再结晶处理；进行第二平坦化处理，去除衬底上方的应力层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||