发明名称 一种基于 VHDL‑AMS 的电路辐照效应建模方法
摘要 本发明公开了一种基于VHDL‑AMS的电路辐照效应的建模方法,通过注入不同辐照剂量,反应电路中电子器件受到辐照效应后电特性的变化;采用等效电路对电源器件进行行为级建模,将复杂电路的行为抽象到以电阻、电容和受控源的基本元件组成的电路;使用VHDL‑AMS语言描述仿真,进行数字和模拟电路的混合建模。本发明进行数字和模拟电路的混合建模,能够反应和描述电流和电压在电路中的具体特性;行为级建模大大降低仿真电路的难度,在短时间内进行快速验证;辐照对电子器件的影响,通过电特性的方式表征出来,直观易行;采用黑盒模型的建模方法,避免器件行为特性信息不足的缺陷;数模混合建模语言的使用,使仿真过程简便且更加完善。
申请公布号 CN106503285A 申请公布日期 2017.03.15
申请号 CN201610824342.4 申请日期 2016.09.14
申请人 西安电子科技大学 发明人 王泉;李苗蕊;刘锦辉;李静月;刘刚
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人 汤东凤
主权项 一种基于VHDL‑AMS的电路辐照效应的建模方法,其特征在于,所述基于VHDL‑AMS的电路辐照效应建模方法通过注入不同的辐照剂量,反应电子器件受到辐照效应后电特性的变化,即电路中电流电压的变化;采用等效电路对电源器件进行行为级建模,将复杂电路的行为抽象到以电阻、电容和受控源的基本元件组成的电路;使用VHDL‑AMS语言建模,进行数字和模拟电路的混合建模。
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号西安电子科技大学