METHOD FOR PRODUCING A TRANSISTOR CHANNEL STRUCTURE UNDER UNIAXIAL STRESS

摘要

Procédé de réalisation de transistor(s) à structure de canal contraint dans lequel on réalise au moins une implantation ionique amorphisante de la couche superficielle d'un substrat de type semi-conducteur sur isolant à travers des ouvertures d'un masquage, de sorte à rendre amorphe des zones (12b) de la couches superficielles et à induire une relaxation d'une zone (12a) destinée à former un canal et située entre les zones rendues amorphes, la relaxation étant réalisée dans une direction orthogonale à celle dans laquelle le courant du canal est destiné à circuler (figure 1C).