发明名称 一种使用复合衬底的氮化物LED外延片结构及其制备方法
摘要 本发明涉及一种使用复合衬底的氮化物LED外延片结构及其制备方法,包括复合衬底、一层以上的二维衍生膜及氮化物外延层;所述二维衍生膜位于所述复合衬底及所述氮化物外延层之间,且所述二维衍生膜附着在所述复合衬底上,所述氮化物外延层附着在所述二维衍生膜上;其中,所述复合衬底由导电衬底及附着在所述导电衬底上的功能金属薄膜层组成。氮化物LED外延片的制作方法如下:首先,在导电衬底上制作功能金属薄膜层,形成复合衬底;然后,在复合衬底上制作二维衍生膜;之后,进行氮化物外延层生长,依次生长:n型缓冲层、n型电子注入层、有源层和p型空穴注入层。使用本方案制备的LED外延片具有制作垂直结构的大功率LED器件。
申请公布号 CN104638071B 申请公布日期 2017.03.15
申请号 CN201510041269.9 申请日期 2015.01.27
申请人 江苏巨晶新材料科技有限公司 发明人 马亮;胡兵;李金权;裴晓将;刘素娟
分类号 H01L33/02(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/02(2010.01)I
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人 杨立
主权项 一种使用复合衬底的氮化物LED外延片结构,其特征在于:包括复合衬底、一层以上的二维衍生膜及氮化物外延层;所述二维衍生膜位于所述复合衬底及所述氮化物外延层之间,且所述二维衍生膜附着在所述复合衬底上,所述氮化物外延层附着在所述二维衍生膜上;其中,所述复合衬底由导电衬底及附着在所述导电衬底上的功能金属薄膜层组成,所述二维衍生膜附着在所述功能金属薄膜层上;所述导电衬底的材质包括半导体SiC、Si、GaAs、GaP、InP中的至少一种;所述功能金属薄膜层包括欧姆接触层、反射层及催化支撑层;所述欧姆接触层附着在所述导电衬底上,所述反射层附着在所述欧姆接触层上,所述催化支撑层附着在所述反射层上;所述二维衍生膜由一层或两层以上的二维纳米片材料构成,所述二维纳米片材料包括石墨烯、硅烯中的任意一种或两种的组合。
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