发明名称 | 用于跨晶片区域预测半导体参数的装置和方法 | ||
摘要 | 提供了用于使用多个已知参数值预测多个未知参数值(例如叠对误差或临界尺寸)的装置和方法。在一个实施方案中,所述方法包括训练神经网络来预测所述多个参数值(114,700,800,900)。在其他实施方案中,所述预测过程不依赖于光刻工具的光学性质。这些预测可以被用来确定晶片批次的处置(114)。 | ||
申请公布号 | CN101939833B | 申请公布日期 | 2017.03.15 |
申请号 | CN200880113786.0 | 申请日期 | 2008.08.29 |
申请人 | 科磊股份有限公司 | 发明人 | P·伊兹克森 |
分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
主权项 | 一种预测在晶片至少一部分上分布的多个参数值的方法,所述方法包括:提供多个已知参数值,所述已知参数值是从所述晶片上特定测量位置处的多个计量目标测量的,所述参数包括:(a)来自光刻工具的对准量度;(b)表征所述晶片性质的处理量度;以及(c)量化所述晶片上目标的背景特性的质量量度;使用所述测量的已知参数值训练神经网络,以便于经训练的神经网络被配置为预测多个预测的参数值,从而与所述特定测量位置对应的所述预测的参数值的子集在所述对应测量的已知参数值的预定义误差函数内;使用所述经训练的神经网络来预测在跨所述晶片至少一部分分布的多个位置处的所述预测的参数值;以及基于所述经训练的神经网络预测的所述预测的参数值确定所述晶片是合格还是不合格。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |