| 发明名称 | 半导体器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有至少一栅极，所述栅极上形成有栅极掩膜层，所述栅极的侧壁形成有栅极侧墙；在所述衬底、栅极掩膜层和栅极侧墙上制备一多晶硅层；在所述多晶硅层上形成一牺牲层，所述牺牲层具有平坦的上表面；在所述牺牲层上形成掩膜图案，所述掩膜图案中具有掩膜开口；在所述掩膜图案的侧壁形成掩膜图案侧墙；去除被所述掩膜开口暴露的所述牺牲层，以在所述牺牲层中形成牺牲层开口；以及去除被所述牺牲层开口暴露的所述多晶硅层，形成多晶硅图案。本发明提供的半导体器件的制备方法能够有效地提高静态随机存储器的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN106505042A | 申请公布日期 | 2017.03.15 |
| 申请号 | CN201510567541.7 | 申请日期 | 2015.09.07 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李敏;吴永玉 |
| 分类号 | H01L21/8244(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8244(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有至少一栅极，所述栅极上形成有栅极掩膜层，所述栅极的侧壁形成有栅极侧墙；在所述衬底、栅极掩膜层和栅极侧墙上制备一多晶硅层；在所述多晶硅层上形成一牺牲层，所述牺牲层具有平坦的上表面；在所述牺牲层上形成掩膜图案，所述掩膜图案中具有掩膜开口；在所述掩膜图案的侧壁形成掩膜图案侧墙；去除被所述掩膜开口暴露的所述牺牲层，以在所述牺牲层中形成牺牲层开口；以及去除被所述牺牲层开口暴露的所述多晶硅层，形成多晶硅图案。 | ||
| 地址 | 300385 天津市西青区中国天津市西青经济开发区兴华道19号 | ||