半导体存储装置及存储器系统

摘要

本发明的实施方式提供一种能够抑制存储单元晶体管的劣化的半导体存储装置及存储器系统。实施方式的半导体存储装置具有第1及第2动作模式，且具备存储单元晶体管与字线。对于存储单元晶体管，在删除数据的情况下，施加删除脉冲，在写入数据的情况下，施加编程脉冲。在处于第1动作模式时，施加第1期间的删除脉冲或编程脉冲。在处于第2动作模式时，施加比第1期间长的第2期间的删除脉冲或编程脉冲。

主权项

一种半导体存储装置，其特征在于：是具有第1动作模式及第2动作模式的半导体存储装置；并且所述半导体存储装置具备：存储单元晶体管；以及字线，连接于所述存储单元晶体管；并且在删除所述存储单元晶体管的数据的情况下，向该存储单元晶体管施加删除脉冲；在向所述存储单元晶体管写入所述数据的情况下，向该存储单元晶体管施加编程脉冲；在处于所述第1动作模式时，施加第1期间的所述删除脉冲或所述编程脉冲；在处于所述第2动作模式时，施加比所述第1期间长的第2期间的所述删除脉冲或所述编程脉冲。