发明名称 一种金属纳微米枝晶有序阵列的制备方法
摘要 本发明公开了一种金属纳微米枝晶有序阵列的制备方法,以导电阵列基底为工作电极,电解液包括金属盐溶液和用量为金属盐溶液按摩尔浓度计0~5%的添加剂,通过伏安法在其表面可控电沉积金属纳微米枝晶,获得金属纳微米枝晶有序阵列,所述导电阵列基底为具有有序导电阵列的基底,所述添加剂包括络合剂或表面活性剂中的至少一种,其用于促进金属纳微米枝晶的形成并调控形貌。本发明提供的金属纳微米枝晶有序阵列的制备方法,工艺简单,易于操作,制作时间短、效率高,适用于工业化生产和应用,制得的金属枝晶有序阵列形状、厚度、尺寸可控。
申请公布号 CN106498464A 申请公布日期 2017.03.15
申请号 CN201610924650.4 申请日期 2016.10.24
申请人 电子科技大学 发明人 吕维强;石星逸;牛英华
分类号 C25D5/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C25D5/00(2006.01)I
代理机构 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人 周永宏;王伟
主权项 一种金属纳微米枝晶有序阵列的制备方法,其特征在于:以导电阵列基底为工作电极,电解液包括金属盐溶液和用量为金属盐溶液按摩尔浓度计0~5%的添加剂,通过伏安法在其表面可控电沉积金属纳微米枝晶,获得金属纳微米枝晶有序阵列,所述导电阵列基底为具有有序导电阵列的基底,所述添加剂包括络合剂或表面活性剂中的至少一种,其用于促进金属纳微米枝晶的形成并调控形貌。
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号