一种高透过率低电阻银纳米线薄膜的制备方法

摘要

本发明公开一种高透过率低电阻银纳米线薄膜的制备方法，包括以下步骤：a) 将硝酸银溶于多元醇中，经过超声处理混合均匀，得到物质量浓度为0.1mol•L^‑1～ 0.5mol•L ^‑1的硝酸银醇溶液；b) 将表面活性剂溶于多元醇中，得到物质的量浓度为0.05mol•L^‑1～ 0.5mol•L ^‑1的表面活性剂醇溶液；c)将硝酸银醇溶液与表面活性剂醇溶液按体积比4:5的比例混合，加入金属离子控制剂，再升温、静置，得到银纳米线母液；d)对步骤c制得的银纳米线母液洗涤、离心分离，去除杂质后用分散剂分散，得到质量体积比为0.2mg·mL^‑1～20mol·L^‑1的银纳米线分散液，银纳米线长度为80um～200um，直径为40nm～100nm；e) 将洗净的衬底置入旋涂机中，将步骤d制得的银纳米线分散液滴在衬底表面，涂覆完成后，自然晾干即得到银纳米线薄膜。

主权项

一种高透过率低电阻银纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a) 将硝酸银溶于多元醇中，并经过超声处理混合均匀，得到物质的量浓度为0.1mol•L^‑1～ 0.5mol•L ^‑1的硝酸银醇溶液；b) 将表面活性剂溶于多元醇中，得到物质的量浓度为0.05mol•L^‑1～ 0.5mol•L ^‑1的表面活性剂醇溶液；c)将所述硝酸银醇溶液与表面活性剂醇溶液按体积比4:5的比例混合，搅拌均匀后加入物质的量为1×10^‑6mol～5×10^‑5mol的金属离子控制剂，再升温到80℃～130℃，静置2h～12h，得到银纳米线母液；d)对步骤c制得的银纳米线母液洗涤、离心分离，去除杂质后，采用分散剂将其分散置于棕色瓶中保存；银纳米线与分散剂的质量体积比为0.2mg·mL^‑1～20mol·L^‑1；银纳米线分散液中银纳米线长度为80um～200um，直径为40nm～100nm；e) 将洗净的衬底置入旋涂机中，将步骤d制得的银纳米线醇溶液滴在衬底表面，涂覆完成后，自然晾干即得到银纳米线薄膜。