发明名称 |
一种基于CMOS工艺的Ku波段宽带低噪声放大器 |
摘要 |
本发明公开了一种基于CMOS工艺的Ku波段宽带低噪声放大器,包括:第一级放大电路、第二级放大电路,所述第一级放大电路与所述第二级放大电路之间设置有级间匹配单元以及偏置电路;其中,单端射频信号经所述第一级放大电路完成射频信号的输入匹配及初始放大后,通过所述级间匹配单元送入所述第二级放大电路,经过所述第二级放大电路进一步放大后,输出射频信号。本发明为输入阻抗和噪声阻抗实现匹配提供了设计自由度;另外,通过网络的反馈特性也可提高带宽和增益平坦度;本发明提升了增益和增益平坦度;并且采用电感反馈的源跟随器作为两级放大电路间的级间匹配单元,可降低匹配难度,同时提升整体电路的增益平坦度。通过采用偏置电路复用技术,有效降低电路的额外功耗,优化电路功耗性能。 |
申请公布号 |
CN106505955A |
申请公布日期 |
2017.03.15 |
申请号 |
CN201610950993.8 |
申请日期 |
2016.10.26 |
申请人 |
天津大学 |
发明人 |
谢生;钱江浩;毛陆虹;李海鸥 |
分类号 |
H03F1/56(2006.01)I;H03F1/26(2006.01)I;H03F1/02(2006.01)I;H03F1/32(2006.01)I;H03F1/48(2006.01)I;H03F3/19(2006.01)I;H03F3/21(2006.01)I |
主分类号 |
H03F1/56(2006.01)I |
代理机构 |
天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 |
代理人 |
李林娟 |
主权项 |
一种基于CMOS工艺的Ku波段宽带低噪声放大器,包括:第一级放大电路、第二级放大电路,其特征在于,所述第一级放大电路与所述第二级放大电路之间设置有级间匹配单元以及偏置电路;其中,单端射频信号经所述第一级放大电路完成射频信号的输入匹配及初始放大后,通过所述级间匹配单元送入所述第二级放大电路,经过所述第二级放大电路进一步放大后,输出射频信号。 |
地址 |
300072 天津市南开区卫津路92号 |