发明名称 |
晶圆及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种晶圆及其制备方法,包括多个结构相同的晶粒,每个晶粒包括N型衬底、氧化层、超结元胞结构,超结元胞结构包括P型掺杂区与N型掺杂区,两种掺杂区中至少一种划分为多个子区域,同种掺杂类型的相邻子区域被另一种类型的掺杂区分隔开;制备方法包括步骤:采用N型硅片作材料A,采用P型硅片作材料B;材料A正面注入氧离子,材料B正面注入氢离子;材料A按图形刻槽,材料B按相反的图形刻槽;形成槽的材料B与形成槽的材料A对接,合成一块半导体C;材料B底部剥离,重复利用;晶圆表面处理;本发明晶圆无需多次注入、多层外延,简化了工艺流程,从而降低制作成本,晶圆可形成超高深宽比的P‑N条,应用范围广。 |
申请公布号 |
CN106505094A |
申请公布日期 |
2017.03.15 |
申请号 |
CN201611041964.6 |
申请日期 |
2016.11.11 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
乔明;方冬;章文通;张波 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 |
代理人 |
敖欢;葛启函 |
主权项 |
一种晶圆,其特征在于:包括多个结构相同的晶粒(2),每个晶粒(2)包括底部的N型衬底(8)、N型衬底(8)上方的氧化层(7)、氧化层(7)上方的超结元胞结构,超结元胞结构包括P型掺杂区(3)与N型掺杂区(4),两种掺杂区中至少一种划分为多个子区域,同种掺杂类型的相邻子区域被另一种类型的掺杂区分隔开。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |