| 发明名称 | 封装芯片失效分析样品及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种封装芯片失效分析样品的制备方法，包括：提供一封装芯片，所述封装芯片包括正面以及与所述正面相对设置的背面，所述封装芯片的背面上设置有多个金属球；对所述金属球背离所述封装芯片正面的一侧进行部分去除；在所述金属球的一侧制备一胶层；所述胶层蘸取金属粉末；对蘸取所述金属粉末的胶层进行加热固化，所述金属粉末和胶层形成一金属层；以及在所述金属层背离所述封装芯片正面的一侧磨出一平面。本发明还公开了一种封装芯片失效分析样品。本发明提供的封装芯片失效分析样品及其制备方法能够方便准确的对封装芯片进行失效分析。 | ||
| 申请公布号 | CN106505003A | 申请公布日期 | 2017.03.15 |
| 申请号 | CN201510559204.3 | 申请日期 | 2015.09.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王潇;何明;孔云龙 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种封装芯片失效分析样品的制备方法，其特征在于，包括：提供一封装芯片，所述封装芯片包括正面以及与所述正面相对设置的背面，所述封装芯片的背面上设置有多个金属球；对所述金属球背离所述封装芯片正面的一侧进行部分去除；在所述金属球的一侧制备一胶层；所述胶层蘸取金属粉末；对蘸取所述金属粉末的胶层进行加热固化，所述金属粉末和胶层形成一金属层；以及在所述金属层背离所述封装芯片正面的一侧磨出一平面。 | ||
| 地址 | 300385 天津市西青经济开发区兴华道19号 | ||