发明名称 |
一种透明的独立二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种透明的独立二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法。该方法以金属钛箔为基底,在金属钛箔表面经阳极氧化得到的二氧化钛纳米管阵列薄膜通过高温退火后,二氧化钛纳米管阵列膜自然脱落,得到透明的独立二氧化钛纳米管阵列薄膜。本发明方法操作简单,节约时间及成本,制备出可完整剥离的二氧化钛纳米管阵列薄膜,且不破坏二氧化钛管的形貌;独立完整的二氧化钛纳米管阵列薄膜方便转移及后加工,且具有透明特性,能更好地应用于光催化等研究中。 |
申请公布号 |
CN106498478A |
申请公布日期 |
2017.03.15 |
申请号 |
CN201611024735.3 |
申请日期 |
2016.11.22 |
申请人 |
华南理工大学 |
发明人 |
沈文浩;童欣;陈小泉 |
分类号 |
C25D11/26(2006.01)I;C01G23/047(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C25D11/26(2006.01)I |
代理机构 |
广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
代理人 |
何淑珍 |
主权项 |
一种透明的独立二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)以经过预处理的金属钛箔作为阳极,惰性电极作为阴极,将阴极和阳极置于有机电解液中,施加电压,室温下进行阳极氧化;氧化结束后,将阳极用去离子水清洗,自然干燥,得到表面生长有二氧化钛纳米管阵列薄膜的金属钛箔;(2)将表面生长有二氧化钛纳米管阵列薄膜的金属钛箔进行高温退火,高温退火结束后冷却至室温,金属钛箔表面的二氧化钛纳米管阵列薄膜脱落,得到所述透明的独立二氧化钛纳米管阵列薄膜。 |
地址 |
510640 广东省广州市天河区五山路381号 |