纳米线场效应晶体管器件

摘要

一种形成场效应晶体管器件的方法包括在衬底之上形成悬置的纳米线，在所述衬底的一部分上并围绕所述纳米线的一部分形成虚设栅极叠层；去除所述纳米线的暴露部分，从所述纳米线的暴露部分外延生长纳米线扩展部分，在所述衬底的暴露部分、所述虚设栅极叠层以及所述纳米线扩展部分之上沉积半导体材料层，以及去除所述半导体材料的部分以形成邻近所述虚设栅极叠层设置并接触所述纳米线扩展部分的侧壁接触区域。

主权项

一种形成场效应晶体管器件的方法，所述方法包括：在衬底之上形成悬置的纳米线；在所述衬底的一部分上并围绕所述纳米线的一部分形成虚设栅极叠层；去除所述纳米线的暴露部分；从所述纳米线的暴露部分外延生长纳米线扩展部分；在所述衬底的暴露部分、所述虚设栅极叠层以及所述纳米线扩展部分之上沉积半导体材料层；以及去除所述半导体材料的部分以形成邻近所述虚设栅极叠层设置并接触所述纳米线扩展部分的侧壁接触区域,进一步包括：在所述侧壁接触区域的暴露部分上面形成硅化物；在所述硅化物、和所述虚设栅极叠层以及所述衬底的暴露部分之上沉积覆盖层；去除所述覆盖层的部分以暴露所述虚设栅极的一部分；去除所述虚设栅极的一部分以暴露所述纳米线；在所述纳米线的暴露部分之上沉积介电层；在所述介电层之上沉积导电层；以及在所述导电层的暴露部分之上形成覆盖层。