一种相变存储用Sb‑Te‑W相变靶材及其制备方法

摘要

本发明涉及一种相变存储用Sb‑Te‑W相变靶材及其制备方法。该靶材的化学通式为Sb_xTe_yW_1‑x‑y，其中0＜x＜1，0＜y＜1，且x+y＜1，0.67≤x/y≤4，W质量分数不超过10%。采用包套密封真空熔炼合成中间化合物，双向压制真空热压烧结制备Sb‑Te‑W相变靶材。本发明可有效解决合金熔炼时由于组元熔点、密度差异导致的材料成分不均匀等问题，获得高致密、高稳定、高纯相变靶材。相比目前广泛应用的Ge₂Sb₂Te₅材料，本发明的Sb‑Te‑W系列相变材料结晶温度更高、熔点更低，用作相变存储材料时热稳定性和数据保持力更佳。

主权项

一种相变存储用Sb‑Te‑W相变靶材，其特征在于：它的化学通式为Sb_xTe_yW_1‑x‑y，其中0＜x＜1，0＜y＜1，且x+y＜1，0.67≤x/y≤4，W质量分数不超过10％；将W粉分别与Sb粉、Te粉混合均匀后压制成型，装入包套，抽真空密封，熔炼，破碎，球磨，得到WSb与WTe中间化合物粉末；按通式Sb_xTe_yW_1‑x‑y配比，将两种中间化合物粉末混合均匀后，进行双向压制真空热压烧结，经线切割、磨床加工，制备得到Sb_xTe_yW_1‑x‑y靶材。