发明名称 |
CMOS中P型源漏离子注入对准度的监控结构及方法 |
摘要 |
本发明提供了CMOS中P型源漏离子注入对准度的监控结构及方法,该监控结构包括光阻区和P型源漏离子注入区,P型源漏离子注入区由P型阱‑P型源漏极结构构成,包括:P型阱、P型源漏极、栅极、介质层以及对应于P型源漏极的接触孔;光阻区由P型阱‑N型源漏极结构构成包括:P型阱、N型源漏极、栅极、介质层,以及对应于N型源漏极的接触孔;对P型源漏离子注入区和光阻区分别注入P型源漏极离子和N型源漏极离子;经正电势电子束扫描得到电压衬度影像中,根据发生变化的接触孔即可监控光阻区的对准度,从而实现对CMOS中P型源漏离子注入对准度的实时监控,避免P型源漏离子注入到NMOS的P型阱中而导致NMOS漏电现象的发生。 |
申请公布号 |
CN104124234B |
申请公布日期 |
2017.03.15 |
申请号 |
CN201410357338.2 |
申请日期 |
2014.07.25 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
范荣伟;龙吟;倪棋梁;陈宏璘;顾晓芳 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种CMOS中P型源漏离子注入对准度的监控结构,其特征在于,所述监控结构位于半导体衬底的非功能区域中,其包括P型源漏离子注入区和光阻区,所述光阻区为进行N型源漏离子注入的区域;其中,所述P型源漏离子注入区由P型阱‑P型源漏极结构构成,所述P型源漏离子注入区包括:在非功能区中设置的P型阱,在P型阱中设置的P型源漏极,位于所述P型源漏极之间的栅极,位于所述非功能区表面的介质层,以及位于介质层中且对应于所述P型源漏极的接触孔;所述光阻区由P型阱‑N型源漏极结构构成,所述光阻区包括:在非功能区中设置的P型阱,在P型阱中设置的N型源漏极,位于所述N型源漏极之间的栅极,位于非功能区表面的介质层,以及位于介质层中且对应于所述N型源漏极的接触孔;在正电势电子束扫描模式下得到的电压衬度影像图中,所述P型阱‑P型源漏极结构对应的接触孔为亮孔,所述P型阱‑N型源漏极结构对应的接触孔为暗孔。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |