一种半导体器件的导通孔结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的导通孔结构的制作方法，包括：在半导体器件的导通孔中进行不完全电镀处理，以使电镀材料覆盖导通孔的底部，以及导通孔的内表面，电镀材料中间形成有空隙；对电镀材料的表面进行表面预处理；在电镀材料中间形成的空隙中填充有机聚合物；在半导体器件表面依次溅射下金属层和种子层，下金属层和种子层覆盖电镀材料和有机聚合物；在种子层上方制作与导通孔位置对应的微凸点。本发明提供的半导体器件的导通孔结构的制作方法，实现了半导体器件的导通孔结构的完全填充，避免了孔内缺陷。

主权项

一种半导体器件的导通孔结构的制作方法，其特征在于，包括：在所述半导体器件的导通孔中进行不完全电镀处理，以使电镀材料覆盖所述导通孔的底部，以及所述导通孔的内表面，所述电镀材料中间形成有空隙；对所述电镀材料的表面进行表面预处理；在所述电镀材料中间形成的空隙中填充有机聚合物；在所述半导体器件表面依次溅射下金属层和种子层，所述下金属层和所述种子层覆盖所述电镀材料和所述有机聚合物；在所述种子层上方制作与所述导通孔位置对应的微凸点。