浅沟槽隔离结构及其形成方法、CMOS图像传感器

摘要

本发明揭示了一种浅沟槽隔离结构及其形成方法、CMOS图像传感器。本发明提供的浅沟槽隔离结构的形成方法，利用同一掩膜版，通过关键尺寸的变动，分两次完成浅沟槽的制作。与现有技术相比，制作方法简单，成本低廉，并且能够有效增加浅沟槽的深度，进而使得以此获得的CMOS图像传感器的质量得到保证。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供衬底，利用一掩膜版在所述衬底中形成第一浅沟槽；在所述第一浅沟槽中形成一填充层，充满所述第一浅沟槽；利用所述掩膜版在所述填充层中形成开口，暴露出所述第一浅沟槽的底壁，通过调节曝光参数使得所述开口的关键尺寸小于所述第一浅沟槽的关键尺寸；刻蚀暴露出的所述第一浅沟槽的底壁，形成第二浅沟槽；去除所述填充层，所述第一浅沟槽和第二浅沟槽共同形成浅沟槽；在所述浅沟槽中形成隔离材料层。