| 发明名称 | 一种低介电常数二乙炔基聚合物、其制备方法及其用途 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种二乙炔基聚合物、其制备方法及其用途。本发明所述的聚合物不仅具有低介电常数，而且热稳定性好，固化温度低，可作为耐高温材料、疏水材料以及电子电气行业电子元器件的封装材料。 | ||
| 申请公布号 | CN106496529A | 申请公布日期 | 2017.03.15 |
| 申请号 | CN201611024682.5 | 申请日期 | 2016.11.17 |
| 申请人 | 北京航空航天大学 | 发明人 | 杨光;申洪岩;王哲 |
| 分类号 | C08G61/12(2006.01)I;C08G61/02(2006.01)I | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人 | 刘元霞 |
| 主权项 | 一种二乙炔基聚合物，其特征在于：所述聚合物包含衍生自如下炔丙基醚单体的结构单元：<img file="FDA0001155522150000011.GIF" wi="1222" he="330" />以及一种或多种衍生自下列共聚单体的结构单元：<img file="FDA0001155522150000012.GIF" wi="1286" he="1359" />其中：R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>相同或者不同，且彼此独立地为非极性基团；R<sub>3</sub>为：<img file="FDA0001155522150000013.GIF" wi="1286" he="423" />R<sub>4</sub>和R<sub>5</sub>相同或不同，且彼此独立地为非极性基团；条件是R<sub>4</sub>和R<sub>5</sub>不与R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>完全相同。 | ||
| 地址 | 100191 北京市海淀区学院路37号北京航空航天大学 | ||