| 发明名称 | 熔区附加磁场装置及具有其的VGF单晶生长炉 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种熔区附加磁场装置及具有其的VGF单晶生长炉，所述磁场装置包括磁体及内外导磁板，套设于单晶炉外采用中心对称布置，用于在VGF单晶生长炉内产生磁场，其中内导磁板位于单晶炉与磁体之间，且与单晶炉和磁体相接触，外导磁板位于磁体远离内导磁板的一侧。本发明采用对称的永磁场能够有效地抑制单晶炉中的熔体对流，并降低固液界面的温度波动，提高晶体质量。 | ||
| 申请公布号 | CN106498487A | 申请公布日期 | 2017.03.15 |
| 申请号 | CN201611027330.5 | 申请日期 | 2016.11.17 |
| 申请人 | 北京鼎泰芯源科技发展有限公司 | 发明人 | 杨柏;赵有文;方聪;王凤华;董志远;高永亮;王俊 |
| 分类号 | C30B11/00(2006.01)I;C30B30/04(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 陈英俊;许向彤 |
| 主权项 | 一种熔区附加磁场装置，其特征在于，所述磁场装置包括磁体及内外导磁板，套设于单晶炉外采用中心对称布置，用于在VGF单晶生长炉内产生磁场，其中内导磁板位于单晶炉与磁体之间，且与单晶炉和磁体相接触，外导磁板位于磁体远离内导磁板的一侧。 | ||
| 地址 | 100080 北京市海淀区海淀大街3号楼B座10层340 | ||