发明名称 LED一体化制造工艺
摘要 本发明公开了一种LED一体化制造工艺,包括步骤:A)选用合适的LED倒装发光晶片,并将LED晶片直接安装在PCB线路板上的倒装共晶位;B)将安装好的LED倒装发光晶片的PCB线路板进行回流共晶焊接;C)对共晶后的LED进行检测;D)对检测合格的共晶后的LED进行残留清洗;E)对PCB线路板进行硅胶封装;F)进行光色测试。发明所述新的LED一体化制造工艺,即能够简化LED的制造工艺达到降低LED产品的制造成本,又通过减少中间散热介质缩短LED晶片与外界的散热距离实现LED更高寿命,很大程度的提高了LED产品性价比。
申请公布号 CN103137832B 申请公布日期 2017.03.15
申请号 CN201310079812.5 申请日期 2013.03.13
申请人 深圳市晨日科技有限公司 发明人 钱雪行;王本智;资春芳
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 代理人 胡吉科;孙伟
主权项 LED一体化制造工艺,包括步骤:A)选用合适的LED倒装发光晶片,并将LED晶片直接安装在PCB线路板上的倒装共晶位;B)将安装好的LED倒装发光晶片的PCB线路板进行回流共晶焊接;C)对共晶后的LED进行检测;D)对检测合格的共晶后的LED进行残留清洗;E)对PCB线路板进行硅胶封装;F)进行光色测试;所述的步骤A)中的PCB线路板上的倒装共晶位点涂有共晶焊料,所述的共晶焊料为固晶锡膏或助焊膏;所述的共晶焊料点涂过程中满足助焊膏焊料点涂时晶片安装后膏量在晶片高度的1/4到1/3位置,倒装共晶位底部完全粘上锡膏的同时且电极间隙处锡膏不能横向冒出膏量20μm,晶片四周膏量也不能超过晶片高度的1/2。
地址 518000 广东省深圳市南山区西丽镇塘朗工业区A6栋