发明名称 对记录介质上的缺陷进行管理的缺陷管理方法以及盘装置
摘要 本发明涉及对记录介质上的缺陷进行管理的缺陷管理方法以及盘装置,盘装置具备非易失性的第1记录部、非易失性的第2记录部以及易失性半导体的第3记录部。在第2记录部存储包含与第1记录部的记录区域整体的缺陷相关的缺陷地址的缺陷信息和对将第1记录部的记录区域划分成多个而得到的各区段关联了缺陷信息的缺陷管理信息。另外,缺陷信息的至少一部分以及缺陷管理信息从第2记录部展开于第3记录部。控制部根据访问的请求,基于第1记录部的访问的对象地址和第3记录部的缺陷管理信息,确定包含对象地址的对象区段以及不包含对象地址的选择区段,将与这些对象区段以及选择区段关联的缺陷信息的一部分从第2记录部展开于第3记录部。
申请公布号 CN106504779A 申请公布日期 2017.03.15
申请号 CN201511000861.0 申请日期 2015.12.28
申请人 株式会社东芝 发明人 吉田纪
分类号 G11B20/18(2006.01)I 主分类号 G11B20/18(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 段承恩;杨光军
主权项 一种盘装置,具备:非易失性的第1记录部;非易失性的第2记录部,其存储缺陷信息和缺陷管理信息,所述缺陷信息包含与所述第1记录部的记录区域整体的缺陷相关的缺陷地址,所述缺陷管理信息是对将所述第1记录部的记录区域划分成多个而得到的各区段关联了所述缺陷信息的信息;易失性半导体的第3记录部,所述缺陷信息的至少一部分以及所述缺陷管理信息从所述第2记录部展开于所述第3记录部;以及控制部,其根据访问的请求,基于所述第1记录部的所述访问的对象地址和所述第3记录部的缺陷管理信息,确定包含所述对象地址的对象区段以及不包含所述对象地址的选择区段,将与这些对象区段以及选择区段相关联的所述缺陷信息的一部分从所述第2记录部展开于所述第3记录部。
地址 日本东京都