发明名称 |
一种磁控溅射设备及磁控溅射系统 |
摘要 |
本发明提供了一种磁控溅射设备及磁控溅射系统,属于半导体制造领域。该磁控溅射设备,包括壳体、磁靶、锆靶材组件、遮挡部以及用于安装基材的炉盘。壳体具有第一内壁、第二内壁和第三内壁,第一内壁和第二内壁相对间隔设置。第一内壁、第二内壁和第三内壁共同围合成反应腔体。炉盘安装于第一内壁,磁靶安装于第二内壁,锆靶材组件设置于磁靶远离第二内壁的一侧。遮挡部设置于第三内壁,遮挡部具有第一凹槽,第一凹槽的开口朝向远离第三内壁的一侧,且第一凹槽的开口覆盖有筛网。这种磁控溅射设备和磁控溅射系统,均能够有效避免反溅射物脱落对溅射环境的影响,有效提高反应腔体内锆金属薄膜的质量,从而提高半导体器件的性能。 |
申请公布号 |
CN106498357A |
申请公布日期 |
2017.03.15 |
申请号 |
CN201610973400.X |
申请日期 |
2016.11.04 |
申请人 |
广汉川冶新材料有限责任公司 |
发明人 |
徐兴;李泽宇;周媛;魏志英 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 |
代理人 |
李佳 |
主权项 |
一种磁控溅射设备,其特征在于,包括壳体、磁靶、锆靶材组件、遮挡部以及用于安装基材的炉盘,所述壳体具有第一内壁、第二内壁和第三内壁,所述第一内壁和所述第二内壁相对间隔设置,所述第一内壁、所述第二内壁和所述第三内壁共同围合成反应腔体,所述磁靶、所述锆靶材组件、所述遮挡部和所述炉盘设置于所述反应腔体内,所述炉盘安装于所述第一内壁,所述磁靶安装于所述第二内壁,所述锆靶材组件设置于所述磁靶远离所述第二内壁的一侧,所述遮挡部设置于所述第三内壁,所述遮挡部具有第一凹槽,所述第一凹槽的开口朝向远离所述第三内壁的一侧,且所述第一凹槽的开口覆盖有筛网。 |
地址 |
618000 四川省德阳市广汉市新丰镇古城村九社 |