发明名称 |
基于石英衬底的掺杂钇铁石榴石薄膜脉冲激光沉积方法 |
摘要 |
本发明属于磁性氧化物薄膜生长技术领域,具体涉及一种基于石英衬底的掺杂钇铁石榴石薄膜脉冲激光沉积方法。本发明通过控制靶材与基底间距离4‑8cm、基底温度550℃‑750℃、氧压5‑10Pa、激光频率2‑10Hz、沉积后薄膜退火温度700‑850℃及保温时间10‑30min等参数,可以制备出高品质的磁光薄膜。在1550nm的光通信波段,在SiO<sub>2</sub>基片上沉积的CeYIG薄膜法拉第旋转角可以达到1deg/μm,满足高性能光隔离器对材料高磁光性能的要求,对推动集成薄膜型光学器件的发展具有重要意义。 |
申请公布号 |
CN106498352A |
申请公布日期 |
2017.03.15 |
申请号 |
CN201611014033.7 |
申请日期 |
2016.11.18 |
申请人 |
哈尔滨理工大学 |
发明人 |
沈涛;代海龙 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
基于石英衬底的掺杂钇铁石榴石薄膜脉冲激光沉积方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:清洗基片;步骤二:将基片与靶材置于真空腔内,抽真空;步骤三:基底加热,充入气氛并调节气体流量与压强;步骤四:在基片上溅射沉积薄膜;步骤五:退火处理薄膜。 |
地址 |
150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号 |