| 发明名称 | 一种采用CMOS工艺实现的太赫兹振荡器 | ||
| 摘要 | 一种采用CMOS工艺实现的太赫兹振荡器，有由第一MOS管M1、第二MOS管M2和第一电感L1构成的交叉耦合震荡电路，第三MOS管M3、第四MOS管M4和第二电感L2构成的频率选择负阻结构，第二电感L2的一端连接第三MOS管M3的栅极，另一端连接第四MOS管M4的栅极，第三MOS管M3和第四MOS管M4的漏极均连接供电电源Vdd，第三MOS管M3的源极连接第一电感L1的一端、第一MOS管M1的漏极以及第二MOS管M2的栅极，第四MOS管M4的源极连接第一电感L1的另一端、第二MOS管M2的漏极以及第一MOS管M1的栅极，第一MOS管M1和第二MOS管M2的源极接地。本发明集成度高、成本低、易于大规模生产。 | ||
| 申请公布号 | CN106505949A | 申请公布日期 | 2017.03.15 |
| 申请号 | CN201610919573.3 | 申请日期 | 2016.10.21 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 毛陆虹;王阳;谢生;肖谧 |
| 分类号 | H03B5/12(2006.01)I | 主分类号 | H03B5/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 杜文茹 |
| 主权项 | 一种采用CMOS工艺实现的太赫兹振荡器，其特征在于，包括有由第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)和第一电感(L1)构成的交叉耦合震荡电路，以及由第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)和第二电感(L2)构成的频率选择负阻结构，其中，所述的第二电感(L2)的一端连接第三MOS管(M3)的栅极，另一端连接第四MOS管(M4)的栅极，第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)的漏极均连接供电电源(Vdd)，第三MOS管(M3)的源极分别连接第一电感(L1)的一端、第一MOS管(M1)的漏极以及第二MOS管(M2)的栅极，所述第四MOS管(M4)的源极分别连接第一电感(L1)的另一端、第二MOS管(M2)的漏极以及第一MOS管(M1)的栅极，所述第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)的源极接地。 | ||
| 地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号 | ||