一种提高氮化物LED外延片发射波长均匀性的生长方法

摘要

一种提高氮化物LED外延片发射波长均匀性的生长方法，涉及半导体光电子领域。本发明的方法步骤为：对外延片进行有源区薄膜生长时，先确定凹槽表面的等温面空间分布及其弯曲度；调整托盘的加热温度，使外延片表面的温度与目标发射波长相匹配；同时，通过改变外延片的结构参数和工艺条件来调整其弯曲度，使外延片弯曲度和凹槽表面等温面的弯曲度相等。同现有技术相比，本发明生长方法通过控制外延片晶体生长时的弯曲度，有效提高氮化物LED或LD外延片发射波长均匀性。

主权项

一种提高氮化物LED外延片发射波长均匀性的生长方法, 它包括镀有SiC表层的石墨材质托盘（1）和置于托盘（1）凹槽（3）上的外延片（2），外延片（2）自下而上依次包括衬底、缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层、有源区、电子阻挡层和P型掺杂层，其方法步骤为：对外延片（2）进行有源区薄膜生长时，先确定凹槽（3）表面的等温面空间分布及其弯曲度；调整托盘（1）的加热温度，使外延片（2）表面的温度与目标发射波长相匹配；同时，通过改变外延片（2）的结构参数和工艺条件来调整其弯曲度，使外延片（2）弯曲度和凹槽（3）表面等温面的弯曲度相等；所述外延片（2）的结构参数包括各外延薄膜层的厚度、化学组分、结晶程度、晶格常数和热传导系数物理或者化学参数，以及各外延薄膜层的排列顺序；所述外延片（2）的工艺条件包括外延片（2）所处位置的温度、压强、气体种类、流量、流速、Ⅴ/Ⅲ摩尔比和托盘转速因素。