发明名称 |
用于70M中频高线性度复数带通滤波器的运算放大器 |
摘要 |
本发明涉及一种用于70M中频高线性度复数带通滤波器的运算放大器,包括主运算放大电路、输出级和电流共模反馈电路,主运算放大电路是在普通运放的基础上增加了两个电阻R和两个电容C,电流共模反馈电路通过5个MOS管实现。与已有技术相比,本运算放大器使得复数带通滤波器结构简单,降低电路设计难度,提高电路可靠性,显著提高了复数带通滤波器的线性度、复数带通滤波器的带负载能力和复数带通滤波器的稳定性。 |
申请公布号 |
CN106505958A |
申请公布日期 |
2017.03.15 |
申请号 |
CN201611147518.3 |
申请日期 |
2016.12.13 |
申请人 |
上海源斌电子科技有限公司 |
发明人 |
朱林;袁永斌;廖宝斌;朱星光;郭长兴 |
分类号 |
H03F3/45(2006.01)I |
主分类号 |
H03F3/45(2006.01)I |
代理机构 |
上海精晟知识产权代理有限公司 31253 |
代理人 |
冯子玲 |
主权项 |
一种用于70M中频高线性度复数带通滤波器的运算放大器,其特征在于,包括主运算放大电路和输出级,具体包括NMOS管串联组、PMOS管串联组、第一混合MOS管并联组、第二混合MOS管并联组、第一PMOS管并联组、第二PMOS管并联组、NMOS管并联组、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管和第九NMOS管,所述第一混合MOS管并联组和所述第二混合MOS管并联组分别包括一个PMOS管和一个NMOS管,所述第一PMOS管的栅源极之间、所述第七PMOS管的栅源极之间、所述第一NMOS管的栅漏极之间和所述第七NMOS管的栅漏极之间串接有电容和电阻;所述NMOS管串联组、所述PMOS管串联组、所述第一混合MOS管并联组和所述第二混合MOS管并联组相互并联后连同所述第二PMOS管、所述第二NMOS管、所述第六PMOS管、所述第六NMOS管、所述第一PMOS管、所述第七PMOS管、所述第一NMOS管和所述第七NMOS管构成所述输出级,所述第一混合MOS管并联组设于所述第二PMOS管和所述第二NMOS管之间,所述第二混合MOS管并联组设于所述第六PMOS管和所述第六NMOS管之间,所述第一PMOS管串接所述第一NMOS管,所述第七PMOS管串接所述第七NMOS管,所述第一混合MOS管并联组一端连接所述第一PMOS管的栅极,另一端连接所述第一NMOS管的栅极,所述第二混合MOS管并联组一端连接所述第七PMOS管的栅极,另一端连接所述第七NMOS管的栅极;所述第三PMOS管和所述第四PMOS管分别串接入所述NMOS管并联组内且所述NMOS管并联组串接所述第三NMOS管,所述第四NMOS管和所述第五NMOS管分别串接入所述第一PMOS管并联组内且所述第一PMOS管并联组串接所述第五PMOS管,所述第八NMOS管和所述第九NMOS管分别串接入所述第二PMOS管并联组内且所述第二PMOS管并联组串接所述第八PMOS管,所述NMOS管并联组和所述第一PMOS管、所述第七PMOS管之间分别设有电容和电阻,所述第一PMOS管并联组和所述第一NMOS管、所述第七NMOS管之间分别设有电容和电阻;所述NMOS管串联组、所述第一混合MOS管并联组中的NMOS管和所述第二混合MOS管并联组中的NMOS管分别连接第一电压,所述PMOS管串联组、所述第一混合MOS管并联组中的PMOS管和所述第二混合MOS管并联组中的PMOS管分别连接第二电压,所述第二PMOS管并联组连接第三电压和第四电压,所述第二PMOS管、所述第三PMOS管、所述第四PMOS管、所述第五PMOS管、所述第六PMOS管和所述第八PMOS管分别连接偏置电压。 |
地址 |
200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区金豫路100号1幢1219室 |