一种具有SiV发光的单晶金刚石及其制备方法

摘要

本发明提供了一种具有SiV发光的单晶金刚石，其制备方法为：将经过清洗、干燥的单晶硅片放入热丝化学气相沉积设备中作为基底进行单晶金刚石的生长：以丙酮为碳源，采用氢气鼓泡的方式将丙酮带入到反应室中，氢气、丙酮流量比为200：40～90，热丝与单晶硅基底的距离为5～20mm，反应功率1600～2400W，反应室气压为1～5KPa，生长时间为2～8h，生长结束后在氢气气流中冷却至室温，即得产品；本发明方法对设备要求较低、工艺简单、易于操作，且制得的单晶金刚石SiV发光强度高，对于实现其在单光子源、量子信息处理和生物标记等领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。

主权项

一种具有SiV发光的单晶金刚石，其特征在于，所述的具有SiV发光的单晶金刚石按如下方法制备得到：(1)将单晶硅片依次用去离子水、丙酮超声清洗，干燥后作为单晶金刚石生长的基底；(2)将经过步骤(1)清洗、干燥的单晶硅片放入热丝化学气相沉积设备中作为基底进行单晶金刚石的生长，生长条件为：以丙酮为碳源，采用氢气A鼓泡的方式将丙酮带入到反应室中，氢气B、丙酮流量比为200：40～90，热丝与单晶硅基底的距离为5～20mm，反应功率1600～2400W，反应室气压为1～5KPa，生长时间为2～8h，生长结束后在氢气B气流中冷却至室温，即制得具有SiV发光的单晶金刚石。