发明名称 存储装置、存储系统、操作存储装置以及存储系统的方法
摘要 如下提供擦除包括多个NAND串的非易失性存储装置的方法。施加第一电压到每个字线达相应的有效擦除运行时间。对连接到字线中的每一个的存储单元执行擦除操作达相应的有效擦除运行时间。在相应的擦除禁止时间逝去后,施加第二电压到字线中的至少一些字线中的每一个达相应的有效擦除运行时间。所述至少一些字线中的每一个的相应的有效擦除运行时间和相应的擦除禁止时间之和基本上等于在其期间使用第一电压和比第一电压高的第二电压执行擦除操作的擦除间隔。字线堆叠在衬底上。
申请公布号 CN106504791A 申请公布日期 2017.03.15
申请号 CN201610791554.7 申请日期 2016.08.31
申请人 三星电子株式会社 发明人 朴商秀;金润;沈元补
分类号 G11C16/14(2006.01)I;G11C16/08(2006.01)I 主分类号 G11C16/14(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 曹瑜
主权项 一种擦除包括多个NAND串的非易失性存储装置的方法,该方法包括:将第一电压施加到多个字线中的一个达相应的有效擦除运行时间,其中,对连接到字线中的每一个的多个存储单元执行擦除操作达相应的有效擦除运行时间;以及在相应的有效擦除运行时间逝去后,施加第二电压到字线之中的至少一些字线中的每一个达相应的擦除禁止时间,其中,所述至少一些字线中的每一个的相应的有效擦除运行时间和相应的擦除禁止时间之和基本上等于在其期间使用第一电压和高于第一电压的第二电压执行擦除操作的擦除间隔,以及其中,所述多个字线堆叠在衬底上。
地址 韩国京畿道