发明名称 CMOS栅极驱动电路
摘要 本发明提供一种CMOS栅极驱动电路,包括级联的多个移位寄存单元,第n级移位寄存单元包括:正反向扫描模块、与正反向扫描模块电性连接的锁存模块(200)、及与锁存模块电性连接的输出模块(400);所述正反向扫描模块包括:第一模块(100)及第二模块(300),第一模块(100)在正向扫描时为下传模块,反向扫描时为下拉模块;第二模块(200)在正向扫描时为下拉模块,反向扫描时为下传模块;第一模块(100)及第二模块(300)均包括与非门,能够实现正反向扫描,保证GOA功能的稳定性和扫描电压信号的顺利输出,提高级传效率,有效降低级传的时序延迟;同时,能够实现电路模块的多功能化,减小屏幕边框的宽度,降低功耗。
申请公布号 CN104732940B 申请公布日期 2017.03.15
申请号 CN201510145378.5 申请日期 2015.03.30
申请人 深圳市华星光电技术有限公司 发明人 曹尚操;李长晔
分类号 G09G3/36(2006.01)I 主分类号 G09G3/36(2006.01)I
代理机构 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人 林才桂
主权项 一种CMOS栅极驱动电路,其特征在于,包括级联的多个移位寄存单元,每一级移位寄存单元均包括:正反向扫描模块、与所述正反向扫描模块电性连接的锁存模块(200)、及与所述锁存模块电性连接的输出模块(400);所述正反向扫描模块包括:第一模块(100)及第二模块(300),所述第一模块(100)在正向扫描时为下传模块,反向扫描时为下拉模块;所述第二模块(300)在正向扫描时为下拉模块,反向扫描时为下传模块;设n为正整数,除第一级与最后一级移位寄存单元以外,在第n级移位寄存单元中:所述第一模块(100)包括:第一与非门(Y1),所述第一与非门(Y1)的两输入端分别电性连接于正向扫描电平信号(Vf)和上一级移位寄存单元输出的级传信号(Q(n‑1)),输出端电性连接于第三节点(C(n));第一N型薄膜晶体管(T1),所述第一N型薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于上一级移位寄存单元输出的扫描电压信号(G(n‑1)),源极电性连接于第三节点(C(n)),漏极电性连接于第一节点(A(n));所述第二模块(300)包括:第二与非门(Y2),所述第二与非门(Y2)的两输入端分别电性连接于反向扫描电平信号(Vr)和下一级移位寄存单元输出的级传信号(Q(n+1)),输出端电性连接于第四节点(D(n));第二N型薄膜晶体管(T2),所述第二N型薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于下一级移位寄存单元输出的扫描电压信号(G(n+1)),源极电性连接于第四节点(D(n)),漏极电性连接于第一节点(A(n));正向扫描时,所述正向扫描电平信号(Vf)为高电位,所述反向扫描电平信号(Vr)为低电位;反向扫描时,所述正向扫描电平信号(Vf)为低电位,所述反向扫描电平信号(Vr)为高电位。
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