发明名称 |
片上电容器及其组装方法 |
摘要 |
一种片上电容器,在后端金属化体之上的无源层中制造有半导电衬底。在片上电容器中配置有至少三个电极,电源通孔和接地通孔与至少三个电极中的至少两个耦合。第一通孔具有到第一电极、第二电极和第三电极中的至少一个的第一耦合配置,第二通孔具有到第一电极、第二电极和第三电极中的至少一个的第二耦合配置。 |
申请公布号 |
CN103959463B |
申请公布日期 |
2017.03.15 |
申请号 |
CN201180075204.6 |
申请日期 |
2011.10.01 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
M·A·蔡尔兹;K·J·费希尔;S·S·纳塔拉詹 |
分类号 |
H01L23/48(2006.01)I;H01L29/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
张晰;王英 |
主权项 |
一种片上电容器,包括:半导电衬底,其包括有源表面和背部表面;布置在所述有源表面上的后端金属化体;布置在所述后端金属化体上的无源结构,其中所述无源结构包括:平行平面的至少第一电极、第二电极和第三电极;第一通孔,其具有到所述第一电极、第二电极和第三电极中的至少一个的第一耦合配置;以及第二通孔,其具有到所述第一电极、第二电极和第三电极中的至少一个的第二耦合配置,其中所述第一耦合配置不同于所述第二耦合配置,其中所述第一电极接触所述第一通孔,其中第一后续电极与所述第一电极共面并且接触所述第二通孔,其中所述第二电极是浮子,其中所述第三电极接触所述第一通孔,并且其中第三后续电极与所述第三电极共面且接触所述第二通孔,或者其中所述第一电极和所述第三电极接触所述第一通孔,其中所述第二电极接触所述第二通孔,所述片上电容器还包括布置在所述第三电极之上并由电容器后续介电层分离的后续电极,其中所述后续电极接触所述第二通孔,并且其中所述第二电极和所述后续电极通过所述第三电极分离。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |