一种基片的刻蚀方法

摘要

本发明提供了一种基片的刻蚀方法，涉及半导体技术领域，能够在保证刻蚀时具有足够的刻蚀选择比的前提下，解决刻蚀时产生难以清洗干净的聚合物，造成LED前级电压高的问题。所述基片的刻蚀方法所刻蚀的基片上预先形成有具有所需要的图形的光阻层，该刻蚀方法包括：粗刻蚀阶段，以光阻层为掩膜，采用第一刻蚀气体对基片进行刻蚀，第一刻蚀气体包含碳；精刻蚀阶段，以光阻层为掩膜，采用第二刻蚀气体对经过粗刻蚀阶段的基片进行刻蚀，第二刻蚀气体不包含碳。前述基片的刻蚀方法适用于GaN基LED中GaN衬底上SiO₂薄膜的刻蚀。

主权项

一种基片的刻蚀方法，所述基片上预先形成有具有所需要的图形的光阻层，其特征在于，所述刻蚀方法包括：粗刻蚀阶段，以所述光阻层为掩膜，采用第一刻蚀气体对所述基片进行刻蚀，所述第一刻蚀气体包含碳；精刻蚀阶段，以所述光阻层为掩膜，采用第二刻蚀气体对经过所述粗刻蚀阶段的基片进行刻蚀，所述第二刻蚀气体不包含碳。