| 发明名称 | 高效发光二极管 | ||
| 摘要 | 一种高效LED具有反光结构以改善基板的内反射效率并将由电极焊盘吸收的光的量最小化，由此改善发光效率。所述高效LED包括基板、n‑半导体层、活性层、p‑半导体层以及透明电极层。所述基板在其下侧中具有多个锥形的凹陷，所述凹陷填充有反光填料。这种构造将电极焊盘吸收的光的量最小化以及将基板的内反射效率最大化，使得未出射到外部的光的量被最小化，由此改善了发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103098239B | 申请公布日期 | 2017.03.15 |
| 申请号 | CN201080069085.9 | 申请日期 | 2010.12.01 |
| 申请人 | 首尔伟傲世有限公司 | 发明人 | 尹余镇;徐源哲 |
| 分类号 | H01L33/10(2006.01)I;H01L33/20(2006.01)I;H01L33/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;韩芳 |
| 主权项 | 一种高效发光二极管，所述发光二极管包括基板、n‑半导体层、活性层、p‑半导体层、透明电极层和反射层，其中，透明电极层形成在p‑半导体层上，在透明电极层上形成有电极焊盘的区域中形成有齿状的凹凸构造，反射层形成在齿状区域的凹进中，其中，所述基板在其下侧中具有多个锥形的凹陷，所述凹陷填充有反光填料，其中，所述基板在其上部分上具有凹凸图案，其中，所述反射层是布拉格反射器。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道安山市 | ||