发明名称 |
一种异质结太阳能电池 |
摘要 |
本发明公开了一种异质结太阳能电池,包括:n‑型单晶硅片,设在n‑型单晶硅片受光面的第一本征非晶硅薄膜层,设在第一本征非晶硅薄膜层上的n‑型非晶硅薄膜层,设在n‑型非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层,设在第一透明导电薄膜层上的金属栅线正电极;设在n‑型单晶硅片背光面的第二本征非晶硅薄膜层;设在第二本征非晶硅薄膜层上的p‑型非晶硅薄膜层,设在p‑型非晶硅薄膜层上的第二透明导电薄膜层,设在第二透明导电薄膜层上的金属栅线背电极。本发明增加了电池的有效吸收面积,从而增加电池的短路电流,进而提高电池的转化率,电池的转换效率可以有效提升1%以上。 |
申请公布号 |
CN106505109A |
申请公布日期 |
2017.03.15 |
申请号 |
CN201510562649.7 |
申请日期 |
2015.09.07 |
申请人 |
福建金石能源有限公司 |
发明人 |
杨与胜;王树林;张超华;庄辉虎;罗骞;宋广华 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种异质结太阳能电池,其特征在于:包括:n‑型单晶硅片,设在n‑型单晶硅片受光面的第一本征非晶硅薄膜层,设在第一本征非晶硅薄膜层上的n‑型非晶硅薄膜层,设在n‑型非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层,设在第一透明导电薄膜层上的金属栅线正电极;设在n‑型单晶硅片背光面的第二本征非晶硅薄膜层;设在第二本征非晶硅薄膜层上的p‑型非晶硅薄膜层,设在p‑型非晶硅薄膜层上的第二透明导电薄膜层,设在第二透明导电薄膜层上的金属栅线背电极;所述第一透明导电薄膜层与电池边缘的距离小于第二透明导电薄膜层与电池边缘的距离;所述金属栅线正电极相邻细栅间距大于金属栅线背电极相邻细栅间距。 |
地址 |
362200 福建省晋江市经济开发区(五里园)泉源路17号 |