| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括衬底、第一绝缘结构、第二绝缘结构、至少一个第一有源半导体鳍和至少一个第二有源半导体鳍。在衬底上设置第一绝缘结构和第二绝缘结构。第一有源半导体鳍设置在衬底上且具有从第一绝缘结构突出的突出部分。第二有源半导体鳍设置在衬底上且具有从第二绝缘结构突出的突出部分。第一有源半导体鳍的突出部分和第二有源半导体鳍的突出部分具有不同的高度。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106505105A | 申请公布日期 | 2017.03.15 |
| 申请号 | CN201610680944.7 | 申请日期 | 2016.08.17 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李智圣;黄信杰;刘继文 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；第一绝缘结构和第二绝缘结构，设置在所述衬底上；至少一个第一有源半导体鳍，设置在所述衬底上且具有从所述第一绝缘结构突出的突出部分；以及至少一个第二有源半导体鳍，设置在所述衬底上且具有从所述第二绝缘结构突出的突出部分，其中，所述第一有源半导体鳍的所述突出部分和所述第二有源半导体鳍的所述突出部分具有不同的高度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||