发明名称 二极管型红外阵列传感器像素级校准结构
摘要 本发明涉及模拟集成电路领域,为实现减少探测器非均匀现象制约输出信号动态范围,提高成像系统信噪比。本发明采用的技术方案是,二极管型红外阵列传感器像素级校准结构,包含校准电流源阵列,所述校准电流源阵列由电流舵DAC单元构成,每个电流舵型DAC单元给一个像素提供偏置电流,并且独立调节电流大小,依靠电流舵DAC单元对每个像素偏置电流进行调节,从而改变像素单元中二极管偏置点,实现对工艺偏差导致的二极管工作点变化进行调节校准。本发明主要应用于模拟集成电路设计制造场合。
申请公布号 CN106500845A 申请公布日期 2017.03.15
申请号 CN201610837057.6 申请日期 2016.09.19
申请人 天津大学 发明人 赵毅强;赵公元;胡凯;夏显召;辛睿山
分类号 G01J5/00(2006.01)I 主分类号 G01J5/00(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 刘国威
主权项 一种二极管型红外阵列传感器像素级校准结构,其特征是,包含校准电流源阵列,所述校准电流源阵列由电流舵DAC单元构成,每个电流舵型DAC单元给一个像素提供偏置电流,并且独立调节电流大小,依靠电流舵DAC单元对每个像素偏置电流进行调节,从而改变像素单元中二极管偏置点,实现对工艺偏差导致的二极管工作点变化进行调节校准。
地址 300072 天津市南开区卫津路92号