| 发明名称 | 一种垂直型半导体器件的双面终端结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种垂直型半导体器件的双面终端结构，所述垂直型半导体器件为双极型晶体管、晶闸管、MOSFET、IGBT、MOSFET派生器件、IGBT派生器件或晶闸管派生器件；所述双面终端结构包括元胞区、终端区、阴极、门极和阳极；所述终端区包括正面终端和背面终端；所述正面终端和背面终端环绕在所述元胞区周围，所述阴极和门极沉积在所述元胞区的正面，所述阳极沉积在所述元胞区的背面。本发明提供的垂直型半导体器件的双面终端结构，在传统的正面终端基础上增加了背面终端结构，形成了双面终端结构，在不增加终端面积的前提下，提高了终端的整体耐压能力，提高了终端结构的效率。 | ||
| 申请公布号 | CN106505092A | 申请公布日期 | 2017.03.15 |
| 申请号 | CN201610685489.X | 申请日期 | 2016.08.18 |
| 申请人 | 全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司 | 发明人 | 温家良;崔磊;徐哲;金锐;王耀华;赵哿 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人 | 徐国文 |
| 主权项 | 一种垂直型半导体器件的双面终端结构，其特征在于，所述双面终端结构包括元胞区、终端区、阴极、门极和阳极；所述终端区包括正面终端和背面终端；所述正面终端和背面终端环绕在所述元胞区周围，所述阴极和门极沉积在所述元胞区的正面，所述阳极沉积在所述元胞区的背面。 | ||
| 地址 | 102209 北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内 | ||