发明名称 |
具有用于嵌入式装置的蚀刻沟槽的半导体装置 |
摘要 |
一种具有用于嵌入式装置的蚀刻的沟槽的半导体装置被揭示,并且例如可以包含基板,其包括顶表面以及底表面;沟槽,从所述底表面延伸到所述基板中;以及在所述基板中的重分布结构,其是在所述基板的所述顶表面与所述底表面之间。半导体裸片可以是耦合至所述基板的所述顶表面。电子装置可以是至少部分地在所述沟槽之内,并且电耦合至所述重分布结构。导电垫可以是在所述基板的所述底表面上。导电凸块可以是在所述导电垫上。在所述沟槽中的所述电子装置可以延伸超出所述基板的所述底表面一段距离,所述距离小于所述导电凸块从所述基板的所述底表面起算的高度。囊封剂可以封入所述半导体裸片以及所述基板的所述顶表面。所述电子装置可以包括电容器。 |
申请公布号 |
CN206022346U |
申请公布日期 |
2017.03.15 |
申请号 |
CN201620667162.5 |
申请日期 |
2016.06.29 |
申请人 |
艾马克科技公司 |
发明人 |
柳智妍;金本吉;新及补 |
分类号 |
H01L23/31(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/31(2006.01)I |
代理机构 |
北京寰华知识产权代理有限公司 11408 |
代理人 |
林柳岑;王兴 |
主权项 |
一种半导体装置,其特征在于,包括:基板,其包括:顶表面以及底表面;沟槽,其是从所述底表面延伸到所述基板中;以及在所述基板中的重分布结构,其是在所述基板的所述顶表面与所述基板的所述底表面之间;半导体裸片,其是耦合至所述基板的所述顶表面;以及电子装置,其是至少部分地在所述沟槽之内并且电耦合至所述重分布结构。 |
地址 |
美国亚利桑那州85284创新圈坦普东路2045号 |